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高启全: 长江存储自主3D NAND、DRAM研发 欢迎美光一起加入

浏览次数: 日期:2017年4月10日 14:30

       台湾DRAM教父高启全转战大陆紫光集团操盘内存大计划超过1年,日前晋升长江存储的执行董事、代行董事长,接受DIGITIMES独家专访公开未来规划;他指出,已齐聚500名研发人员在武汉投入3D NAND开发,也考虑研发20/18纳米DRAM,会在技术开发具竞争力后才开始投产,欢迎美光(Micron)加入合作,双方合则两利,且时间会对长江存储有利!

 

台湾DRAM教父高启全表示长江存储自主3D NANDDRAM技术开发,欢迎美光一起加入。连于慧摄   

 

       长江存储计划内存的研发,制造基地在武汉、南京两地,紫光20171月底资金到位,现阶段长江存储的股权结构是大基金占25%、湖北集成电路产业投资基金和湖北投资集团占24%、紫光集团占51%,高启全从2月底成为长江存储的执行董事、代行董事长。

       高启全独家在DIGITIMES公开长江存储在技术和量产的规划,技术开发大本营在武汉,现已投入3D NAND研发,2017年底提供323D NAND的样本,将是公司技术自主的里程碑,之后从事64层技术,待该技术成熟后,长江存储才会投入3D NAND量产,届时与三星电子(Samsung Electronics)SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)等国际大厂的技术差距会缩短至一代左右。

再者,长江存储也考虑自己开发DRAM技术,可能的切入点是18/20纳米制程,无论是3D NAND或是DRAM,一定要自己掌握核心技术,不会再走过去台湾技术授权的老路!

       高启全表示,无论是DRAM3D NAND技术,最好的合作伙伴是美光,但现在政治气氛不对,美国对大陆半导体产业的积极度有被威胁之感,因此洽谈的时间会再延长,但美光1年来全球DRAM市占率从28%掉到18%,不快加入长江存储的阵营一起奋斗,未来只会更辛苦。

       长江存储分为武汉和南京12厂两大据点,各自单月产能都是30万片规划,外界对于这样的产能规模,以及何时量产都有很多疑问,他强调,12厂规划不会是虚晃一招,但技术没成熟前也绝对不会冒然投产,长江存储的内存规划是有计划、慢慢做,千秋大业是急不得,我们也不会去打乱市场的行情。

        高启全指出,这样的12产能规模将会成为对抗三星电子(Samsung Electroncis)的充裕子弹和最佳利器,欢迎美光加入,现在南韩控制全球DRAM市占高达80%NAND Flash高达60%,不出几年的时间,南韩就会掌握全球90%的内存芯片,这是全世界都该害怕的事情,三星是全球科技业的威胁。

       他进一步表示,一定要有人扮演在全球平衡三星的势力,对台湾亦有利,以大陆有计划的布局可扮演此角色,且只有大陆才有这个资源投入,长江存储就是基于这个出发点而诞生,也是大基金唯一真正投资的内存阵营。

       他分析,大陆每年进口的芯片金额高达2,500亿美元,当中以内存芯片为大宗,但自己制造的主流DRAMNAND Flash芯片却是零,大陆有半导体政策要做、出钱出力、给时间让技术落地生根,大家应该更正面去看长江存储的规划和发展。

       他强调,3D NANDDRAM技术绝对在大陆自主开发,技术不成熟时不会冒然投产,另外,我们不会再走回过去台湾技术授权的失败老路,发展自有技术同时,侵犯别人专利会付钱,且长存已累积多个3D NAND专利,别人用到也要付费,唯有合法来源取得技术,持续前进,才能吸引到全球人才,打造国际级的规格。


 



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